Samsung, depolama yongalarının önde gelen üreticilerinden biri olarak, bugün en yeni NAND çiplerinin kitlesel üretimine başladığını duyurdu. Şirket, 1 Terabit (125 GB) depolama kapasiteli QLC 9. nesil V-NAND çiplerini üretime soktu. Nisan ayında, Samsung 9. nesil V-NAND’ı TLC (üç seviyeli hücre) teknolojisi ile kitlesel olarak üreten ilk şirket olmuştu. Şimdi ise, her hücrede 4 bit depolama imkanı sunan dört seviyeli hücre (QLC) çözümüne geçerek daha yoğun bir depolama yapısı elde etmeyi başardılar.
Samsung, yeni nesil NAND çipleriyle geliyor
Bu yeni teknoloji, veri yazma hızını iki katına çıkarırken, veri okuma ve yazma işlemlerinde güç tüketimini sırasıyla %30 ve %50 oranında azalttı. Samsung’un Flash Ürün ve Teknoloji Başkanı SungHoi Hur, kitlesel üretimin AI çağı için gelişmiş SSD çözümlerine olan ihtiyacı karşılayacak bir zamanda başladığını belirtti.
QLC V-NAND’ın geliştirilmesini sağlayan en önemli teknolojik atılımlardan biri Channel Hole Etching oldu. Samsung, hücrelerin ve çevresel devrelerin optimize edilmesiyle %86 daha fazla yoğunluk elde ederek çift yığınlı bir yapı oluşturdu. Ayrıca, Designed Mold teknolojisi sayesinde katmanlar arasında ve içinde hücre özellikleri optimize edilerek veri saklama performansı %20 oranında artırıldı, bu da ürün güvenilirliğini geliştirdi.
Realme Narzo 70 Turbo hakkında yeni sızıntı!
Yeni QLC V-NAND çipleri, SSD’lerde yaygın olarak kullanılacak ve bu çözüm ilerleyen dönemde PC’ler, bulut hizmetleri için sunucu SSD’leri ve akıllı telefonlarda kullanılan Universal Flash Storage (UFS) gibi alanlarda da uygulanacak.
Yesilrobot.com e-bültenine kaydolarak, her hafta 15 bine yakın Yeşil Robot okurunun yaptığı gibi, tüm güncellemeleri E-posta kutunuzdan takip edebilirsiniz. Abonelik için tıklayınız
